SAMSUNG DISCO DURO SSD M.2 NVME MZ-V9P1T0BW 990 PRO 1TB PCIE 4.0 NVME

Referencia: MZ-V9P1T0BW

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SAMSUNG DISCO DURO SSD M.2 NVME MZ-V9P1T0BW 990 PRO 1TB PCIE 4.0 NVME
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Samsung 990 PRO. SDD, capacidad: 1000 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7450 MB/s, Velocidad de escritura: 6900 MB/s, Componente para: PC

PESO Y DIMENSIONES
Altura
22 mm
Ancho
80 mm
Peso
9 g
Profundidad
2,3 mm
CONDICIONES AMBIENTALES
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Máxima temperatura
70 °C
Vibración operativa
1500 G
CONTROL DE ENERGÍA
Consumo de energía (max)
7,8 W
Consumo de energía (promedio)
5,4 W
Voltaje de operación
3,3 V
EMPAQUETADO
Tipo de embalaje
Caja
CARACTERÍSTICAS
Lectura aleatoria (4KB)
1200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)
1550000 IOPS
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Cantidad de memoria caché DDR externa
1024 MB
Carriles datos de interfaz PCI Express
x4
Componente para
PC
Memoria caché DDR externa
Si
Función DevSleep
Si
Encriptación de hardware
Si
Factor de forma de disco SSD
M.2
Interfaz
PCI Express 4.0
NVMe
Si
Versión NVMe
2.0
Soporte S.M.A.R.T.
Si
SDD, capacidad
1000 GB
Soporte TRIM
Si
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Tipo de memoria
V-NAND MLC
Velocidad de lectura
7450 MB/s
Velocidad de escritura
6900 MB/s
SAMSUNG
MZ-V9P1T0BW
2023-02-06

Ficha técnica

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