1 TB M.2 PCI Express 4.0 Velocidad de lectura: 5000 MB/s Velocidad de escritura: 4200 MB/s V-NAND TLC NVMe 2.0 Encriptación de hardware 256-bit AES Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM Componente para: Universal Samsung 990 EVO. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 5000 MB/s, Velocidad de escritura: 4200 MB/s, Componente para: Universal PESO Y DIMENSIONES Altura 2,38 mm Ancho 80,2 mm Peso 9 g Profundidad 22,1 mm CONDICIONES AMBIENTALES Golpe (fuera de operación) 1500 G Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C Intervalo de temperatura de almacenaje -40 - 85 °C Intervalo de humedad relativa para funcionamiento 5 - 95% Intervalo de humedad relativa durante almacenaje 5 - 95% Vibración no operativa 20 G CONTROL DE ENERGÍA Consumo de energía (lectura) 4,9 W Consumo de energía (escritura) 4,5 W Consumo energético (en suspensión) 0,005 W Consumo de energía (espera) 0,06 W Voltaje de operación 3,3 V EMPAQUETADO Tipo de embalaje Caja CARACTERÍSTICAS Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm) Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES Revisión PCI Express CEM 4.0 Carriles datos de interfaz PCI Express x4 Componente para Universal Encriptación de hardware Si Factor de forma de disco SSD M.2 Interfaz PCI Express 4.0 NVMe Si Versión NVMe 2.0 Soporte S.M.A.R.T. Si SDD, capacidad 1 TB Soporte TRIM Si calificación TBW 600 Tiempo medio entre fallos 1500000 h Tipo de memoria V-NAND TLC Velocidad de lectura 5000 MB/s Velocidad de escritura 4200 MB/s
